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石材机械_机械密封用SiC生产过程

我工厂是生产机械密封的,为了把握SiC供给商的供给时候,特想了解一下SiC工厂生产产品的全部流程,请有经验的伴侣供给.越具体越好. SiC陶瓷的生产工艺简述以下: 1、SiC粉末的合成: SiC在地球上几近不存在,仅在陨石中有所发现

是以,产业上利用的SiC粉末都为人工合成。今朝,合成SiC粉末的首要编制有: 1、Acheson法: 这是产业上采取最多的合成编制,即用电将石英砂和焦炭的同化物加热至2500℃摆布高温反应制得

仿形铣因石英砂和焦炭中凡是含有Al和Fe等杂质,在制成的SiC中都固溶有少量杂质。此中,杂质少的呈绿色,杂质多的呈玄色

2、化正当: 在必然的温度下,使高纯的硅与碳黑直接产生反应数控曲线锯由此可合成高纯度的β-SiC粉末。3、热分化法: 使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200~1500℃的温度范围内产生分化反应,由此制得亚微米级的β-SiC粉末

4、气相反相法: 使SiCl4和SiH4等含硅的气体和CH4、C3H8、C7H8和(Cl4等含碳的气体或使CH3SiCl3、(CH3)2 SiCl2和Si(CH3)4等同时含有硅和碳的气体在高温下产生反应,由此制备纳米级的β-SiC超细粉

石材机械 2、碳化硅陶瓷的烧结 1、无压烧结 1974年美国GE公司经过过程在高纯度β-SiC细粉中同时插手少量的B和C,采取无压烧结工艺

龙门锯于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。今朝,该工艺已成为制备SiC陶瓷的首要编制。美国GE公司研究者以为:晶界能与概况能之比小于1.732是致密化的热力学条件,当同时添加B和C后

B固溶到SiC中,式带锯使晶界能下降,C把SiC粒子概况的SiO2还原除往,进步概况能,是以B和C的添加为SiC的致密化创造了热力学方面的有益条件。但是

日本研究职员却以为SiC的致密实在不存在热力学方面的限制。还有学者以为,SiC的致密化机理多是液相烧结,他们发现:在同时添加B和C的β-SiC烧结体中

有富B的液相存在于晶界处陶瓷机械关于无压烧结机理,今朝还没有定论。以α-SiC为原料,同时添加B和C,也一样可实现SiC的致密烧结。研究表白:单独利用B和C作添加剂

无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时,才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结,SiC粉料的比概况积应在10m2/g以上,且氧含量尽可能低

B的添加量在0.5%摆布,C的添加量取决于SiC原料中氧含量凹凸,凡是C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。比来



有研究者在亚微米SiC粉料中插手Al2O3和Y2O3,在1850℃~2000℃温度下实现SiC的致密烧结陶瓷深加工机械由于烧结温度低而具有较着细化的微不雅布局

因此,其强度和韧性大大改良。2、热压烧结 50年代中期,美国Norton公司就开端研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金属添加物对SiC热压烧结的影响。尝试表白:Al和Fe是促进SiC热压致密化的最有效的添加剂

有研究者以Al2O3为添加剂,经过过程热压烧结工艺,也实现了SiC的致密化,并以为其机理是液相烧结。此外,还有研究者别离以B4C、B或B与C

Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C与C作添加剂,采取热压烧结,也都获得了致密SiC陶瓷。研究表白:烧结体的显微布局和力学、热学等性能会因添加剂的种类分歧而异

如:当采取B或B的化合物为添加剂,热压SiC的晶粒尺寸较小,磨边机但强度高。当选用Be作添加剂,热压SiC陶瓷具有较高的导热系数。3、热等静压烧结: 比来几年来

为进一步进步SiC陶瓷的力学性能,研究职员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究职员以B和C为添加剂,采取热等静压烧结工艺

在1900℃便获得高密度SiC烧结体。更进一步,经过过程该工艺,在2000℃和138MPa压力下,成功实现无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。研究表白:当SiC粉末的粒径小于0.6μm时

即便不引进任何添加剂,经过过程热等静压烧结,在1950℃便可使其致密化。如选用比概况积为24m2/g的SiC超细粉,瓷砖磨边机采取热等静压烧结工艺

在1850℃便可获得高致密度的无添加剂SiC陶瓷。另外,Al2O3是热等静压烧结SiC陶瓷的有效添加剂。而C的添加对SiC陶瓷的热等静压烧结致密化不起感化

过量的C乃至会抑制SiC陶瓷的烧结。4、反应烧结: SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为:先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀,经干压、挤压或注浆等编制制成多孔坯体

在高温下与液态Si接触,坯体中的C与渗透的Si反应,天生β-SiC,并与α-SiC相连系,过量的Si填充于气孔,从而得到无孔致密的反应烧结体

反应烧结SiC凡是含有8%的游离Si。是以,为包管渗Si的完全,素坯应具有足够的孔隙度。一般经过过程调剂最初同化料中α-SiC和C的含量,α-SiC的粒度级配

C的外形和粒度和成型压力等手段来获得恰当的素坯密度。尝试表白,采取无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各别的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来讲

热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多,反应烧结SiC相对较低。另一方面,SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的分歧而分歧。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力

但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看,当温度低于900℃时,几近所有SiC陶瓷强度均有所进步;当温度超越1400℃时,反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降

(这是由于烧结体中含有必然量的游离Si,当超越必然温度抗弯强度急剧下降而至)对无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷,其耐高温性能首要受添加剂种类的影响

总之,SiC陶瓷的性能因烧结编制分歧而分歧。一般说来,无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC陶瓷,但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷

固然此内容是网上复制,只说了然先制粉后烧结这两工序,但还是谢谢